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¼„›_Œ–¼‹…啿™¶å…·æœ‰ä¼˜å¼‚çš„çƒã€ç”µæ€§èƒ½åQŒåœ¨é«˜æ¸©ã€é«˜é¢‘ã€å¤§åŠŸçŽ‡ã€æŠ—è¾å°„集æˆç”µå器äšg领域 有ç€òq¿æ³›çš„åº”ç”¨å‰æ™¯ã€‚碳化硅¼‹¬åº¦é«˜ã€è„†æ€§å¤§ã€åŒ–妿€§è´¨½E›_®šåQŒä¼ ¾lŸåŠ å·¥æ–¹æ³•ä¸å®Œå…¨é€‚ç”¨å› æ¤åœ¨åŠ å·¥è¿‡½E‹ä¸ä¼šå‡ºçŽ°æ•ˆçŽ‡é™ä½Žã€æˆæœ¬å¢žåŠ çš„çŽ°è±¡ã€?/span>
DISCO åˆ›é€ æ€§åœ°é‡‡ç”¨ KABRA 技术ã€? 轴磨削和òq²æ³•抛光ã€è¶…声æ‡L切割和éšå½¢åˆ‡å‰ÔŒ¼Œåˆ†åˆ«åœ¨ç¢³åŒ–ç¡…ç‰‡åˆ¶é€ ã€å™¨ä»¶å‡è–„ã€?nbsp;切割环节实现了显著的优化效果ã€?nbsp;
¼„›_Œ–¼‹…片刉™€ :2016 òqß_¼ŒDISCO ç ”å‘出新型碳化硅晉™”‹È€å…‰åˆ‡ç‰‡æŠ€æœ¯ï¼ˆKABRAåQ‰ï¼Œæ˜¾è‘— ¾~©çŸåŠ å·¥ç”¨æ—¶åQŒå°†å•片 6 å¯?nbsp;SiC 晶圆的切割时间由 3.1 ž®æ—¶å¤§å¹…¾~©çŸè‡?nbsp;10 分钟åQŒå•ä½?nbsp;ææ–™æŸè€—é™ä½?nbsp;56%åQŒæ™¶åœ†äñ”釿å?nbsp;1.4 å€ã€‚åŒæ—¶æ–°æŠ€æœ¯å¯æŠ‘制晶圆起ä¼åQŒæ— éœ€ç ”ç£¨æ“作ã€?/span>
¼„›_Œ–器äšgå‡è–„åQšç¢³åŒ–ç¡…æ–裂韧性较低,在薄化过½E‹ä¸æ˜“å¼€è£‚ï¼Œå¯ÆD‡´¼„›_Œ–¼‹…晶片的å‡è–„é?nbsp;常困难。DISCO 通过 4 轴磨削æé«˜ç”Ÿäº§çއåQŒé€šè¿‡òq²æ³•抛光æé«˜è´¨é‡ã€?/span>
¼„›_Œ–器äšg切割åQšè¶…声æ‡L切割æé«˜å¤„ç†é€Ÿåº¦å’Œè´¨é‡ã€å‡ž®‘éŸ§æ€§ææ–™çš„æ¯›åˆºåQ›éšå½¢åˆ‡å‰²æ— 需 清洗åQŒä¸”有助于凞®èŠ¯ç‰‡é—´éš”ã€?/span>